Fechar

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YDa/Kbdqu
Repositóriosid.inpe.br/iris@1916/2006/02.15.12.44   (acesso restrito)
Última Atualização2006:02.15.12.44.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1916/2006/02.15.12.44.11
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.20.24 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-13520-PRE/8733
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoAraujoSilvAndr:2002:ReTuPo
TítuloResonant Tunneling of Polarized Electrons Through Nonmagnetic III-V Semiconductor Multiple Barriers
ProjetoFisica da Matéria Condensada (MATCON)
Ano2002
MêsJune
Data de Acesso05 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho161 KiB
2. Contextualização
Autor1 Araujo, C. Moysés
2 Silva, A. Ferreira da
3 Andrada e Silva, Erasmo Assumpção de
Grupo1
2
3 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Universidade Federal da Bahia, Instituto de Física
2 Universidade Federal da Bahia, Instituto de Física
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais, (INPE. LAS)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume32
Número2
Páginas321-323
Histórico (UTC)2006-02-15 12:44:12 :: vinicius -> administrator ::
2006-09-28 22:24:27 :: administrator -> vinicius ::
2008-02-07 17:47:21 :: vinicius -> administrator ::
2008-06-10 22:25:16 :: administrator -> vinicius ::
2011-05-25 05:01:53 :: vinicius -> administrator ::
2018-06-05 01:20:24 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveSENSORS AND MATERIALS
Semiconductor
Barriers
Nonmagnetic
SENSORES E MATERIAIS
Semicondutor
Barreiras
Não magnético
ResumoThe quantum transport of spin-polarized electrons across nonmagnetic III-V semiconductor multiple barriers is considered theoretically. We have calculated the spin dependent transmission coeÆcient, for conducting electrons transversing lattice-matched In0:53Ga0:47As/GaAs0:5Sb0:5/In0:53Ga0:47As/ InP/In0:53Ga0:47As nanostructures with dierent numbers of asymmetric double barriers, as a func- tion of electron energy and angle of incidence. Spin-orbit split resonances, due to the Rashba term, are observed. The envelope function approximation and the Kane kp model for the bulk are used. For an unpolarized incident beam of electrons, we also obtain the spin polarization of the trans- mitted beam. The formation of spin dependent minibands of energy with nonzero transmission is observed.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Resonant Tunneling of...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvo72.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
vinicius
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 


Fechar