1. Identificação | |
Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) |
Site | mtc-m16.sid.inpe.br |
Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
Identificador | 6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CSSJk |
Repositório | sid.inpe.br/marciana/2004/07.26.10.14 (acesso restrito) |
Última Atualização | 2004:07.26.03.00.00 (UTC) administrator |
Repositório de Metadados | sid.inpe.br/marciana/2004/07.26.10.14.09 |
Última Atualização dos Metadados | 2018:06.05.01.20.59 (UTC) administrator |
Chave Secundária | INPE-10989-PRE/6445 |
ISSN | 0103-9733 |
Chave de Citação | AnjosAbrRapUetClo:2004:ElPrBi |
Título | Electrical properties of Bi-Doped PbTe layers grown by molecular beam epitaxy on BaF2 substrates |
Ano | 2004 |
Mês | June |
Data de Acesso | 05 maio 2024 |
Tipo Secundário | PRE PN |
Número de Arquivos | 1 |
Tamanho | 93 KiB |
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2. Contextualização | |
Autor | 1 Anjos, Alexandre M. Pires dos 2 Abramof, Eduardo 3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira 4 Ueta, Antonio Yukio 5 Closs, Humberto |
Identificador de Curriculo | 1 2 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH 3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37 4 8JMKD3MGP5W/3C9JGJU |
Grupo | 1 LAS-INPE-MCT-BR |
Revista | Brazilian Journal of Physics |
Volume | 34 |
Número | 2A |
Histórico (UTC) | 2018-06-05 01:20:59 :: administrator -> marciana :: 2004 |
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3. Conteúdo e estrutura | |
É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
Estágio do Conteúdo | concluido |
Transferível | 1 |
Tipo do Conteúdo | External Contribution |
Resumo | Resisistivity and Hall measurements were performed at temperatures from 10 to 320K on Bi-doped PbTe layers grown on (111) BaF2 by molecular beam epitaxy. Samples with electron concentration varying from 1x1017 to 4x1019cm¡3 were obtained. Results indicated that all offered Bi atoms in the vapor phase were effectively incorporated in the PbTe as active donors. No thermal activation in the whole doping range was observed, indicating that the Bi donor level lies resonant with the conduction band. The mobility curve showed that the PbTe layers tend to a metallic behavior as the electron concentration increases. A value around 1x1019 cm¡3 is suggested for n+ PbTe contact layers in device application. |
Área | FISMAT |
Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Electrical properties of... |
Conteúdo da Pasta doc | acessar |
Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
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4. Condições de acesso e uso | |
Idioma | en |
Arquivo Alvo | abramofeletrical.pdf |
Grupo de Usuários | administrator marciana |
Visibilidade | shown |
Detentor da Cópia | SID/SCD |
Política de Arquivamento | denypublisher denyfinaldraft12 |
Permissão de Leitura | deny from all and allow from 150.163 |
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5. Fontes relacionadas | |
Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 |
Divulgação | WEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO. |
Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40 |
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6. Notas | |
Campos Vazios | affiliation alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn keywords label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid pages parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype |
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7. Controle da descrição | |
e-Mail (login) | marciana |
atualizar | |
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