Fechar

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/Epot4
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/12.08.15.11   (acesso restrito)
Última Atualização2004:12.08.02.00.00 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/12.08.15.11.09
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.21.12 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-11785-PRE/7144
ISSN0103-9733
Chave de CitaçãoBarrosAbrRapUetClo:2004:ChPbPn
TítuloCharacterization of PbTe p-n(+) junction grown by molecular beam epitaxy
Ano2004
Mêsjun.
Data de Acesso05 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PN
Número de Arquivos1
Tamanho83 KiB
2. Contextualização
Autor1 Barros, André Santiago
2 Abramof, Eduardo
3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira
4 Ueta, Antonio Yukio
5 Closs, Huberto
Identificador de Curriculo1
2 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37
4 8JMKD3MGP5W/3C9JGJU
5 8JMKD3MGP5W/3C9JHCR
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
RevistaBrazilian Journal of Physics
Volume34
Número2B
Páginas641-643
Histórico (UTC)2006-01-23 10:20:12 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:28:22 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:53:40 :: sergio -> administrator ::
2008-06-10 22:28:19 :: administrator -> marciana ::
2011-05-20 05:28:48 :: marciana -> administrator ::
2018-06-05 01:21:12 :: administrator -> marciana :: 2004
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveINFRARED DETECTORS
LAYERS
ResumoIn this work we investigate the electrical properties of PbTe p - n(+) junction. Mesa diodes were fabricated from p - n(+) PbTe layers grown on (111) BaF2 substrates by molecular beam epitaxy. From the analysis of the current versus voltage characteristic measured at 80K, the incremental differential resistance and the series resistance were determined. The capacitance versus voltage curves were measured at a frequency of 1MHz. The one-sided abrupt junction was checked through the 1/C(2)xV plot. From the linear fit, the hole concentration and the depletion layer width in the p-side were obtained. The high detectivity values measured for the p - n(+) PbTe diode confirm that it is very suitable for infrared detection.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Characterization of PbTe...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvov34_641.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
sergio
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft12
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 


Fechar