1. Identificação | |
Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) |
Site | mtc-m16.sid.inpe.br |
Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
Identificador | 6qtX3pFwXQZsFDuKxG/Epot4 |
Repositório | sid.inpe.br/marciana/2004/12.08.15.11 (acesso restrito) |
Última Atualização | 2004:12.08.02.00.00 (UTC) administrator |
Repositório de Metadados | sid.inpe.br/marciana/2004/12.08.15.11.09 |
Última Atualização dos Metadados | 2018:06.05.01.21.12 (UTC) administrator |
Chave Secundária | INPE-11785-PRE/7144 |
ISSN | 0103-9733 |
Chave de Citação | BarrosAbrRapUetClo:2004:ChPbPn |
Título | Characterization of PbTe p-n(+) junction grown by molecular beam epitaxy |
Ano | 2004 |
Mês | jun. |
Data de Acesso | 05 maio 2024 |
Tipo Secundário | PRE PN |
Número de Arquivos | 1 |
Tamanho | 83 KiB |
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2. Contextualização | |
Autor | 1 Barros, André Santiago 2 Abramof, Eduardo 3 Rappl, Paulo Henrique de Oliveira 4 Ueta, Antonio Yukio 5 Closs, Huberto |
Identificador de Curriculo | 1 2 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH 3 8JMKD3MGP5W/3C9JJ37 4 8JMKD3MGP5W/3C9JGJU 5 8JMKD3MGP5W/3C9JHCR |
Grupo | 1 LAS-INPE-MCT-BR |
Afiliação | 1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) |
Revista | Brazilian Journal of Physics |
Volume | 34 |
Número | 2B |
Páginas | 641-643 |
Histórico (UTC) | 2006-01-23 10:20:12 :: sergio -> administrator :: 2006-09-28 22:28:22 :: administrator -> sergio :: 2008-01-07 12:53:40 :: sergio -> administrator :: 2008-06-10 22:28:19 :: administrator -> marciana :: 2011-05-20 05:28:48 :: marciana -> administrator :: 2018-06-05 01:21:12 :: administrator -> marciana :: 2004 |
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3. Conteúdo e estrutura | |
É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
Estágio do Conteúdo | concluido |
Transferível | 1 |
Tipo do Conteúdo | External Contribution |
Palavras-Chave | INFRARED DETECTORS LAYERS |
Resumo | In this work we investigate the electrical properties of PbTe p - n(+) junction. Mesa diodes were fabricated from p - n(+) PbTe layers grown on (111) BaF2 substrates by molecular beam epitaxy. From the analysis of the current versus voltage characteristic measured at 80K, the incremental differential resistance and the series resistance were determined. The capacitance versus voltage curves were measured at a frequency of 1MHz. The one-sided abrupt junction was checked through the 1/C(2)xV plot. From the linear fit, the hole concentration and the depletion layer width in the p-side were obtained. The high detectivity values measured for the p - n(+) PbTe diode confirm that it is very suitable for infrared detection. |
Área | FISMAT |
Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Characterization of PbTe... |
Conteúdo da Pasta doc | acessar |
Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
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4. Condições de acesso e uso | |
Idioma | en |
Arquivo Alvo | v34_641.pdf |
Grupo de Usuários | administrator sergio |
Visibilidade | shown |
Detentor da Cópia | SID/SCD |
Política de Arquivamento | denypublisher denyfinaldraft12 |
Permissão de Leitura | deny from all and allow from 150.163 |
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5. Fontes relacionadas | |
Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 |
Divulgação | WEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO. |
Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40 |
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6. Notas | |
Campos Vazios | alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype |
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7. Controle da descrição | |
e-Mail (login) | marciana |
atualizar | |
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