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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YDa/JpLJN
Repositóriosid.inpe.br/iris@1916/2005/12.09.15.47   (acesso restrito)
Última Atualização2013:03.21.18.18.54 (UTC) administrator
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1916/2005/12.09.15.47.41
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.16.18 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE--PRE/
DOI10.1016/j.nimb.2005.06.115
ISSN0168-583X
0167-5087
Chave de CitaçãoUedaReutLepi:2005:CoNiIo
TítuloComparison of nitrogen ion beam and plasma immersion implantation in Al5052 alloy
Ano2005
Data de Acesso03 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho226 KiB
2. Contextualização
Autor1 Ueda, Mario
2 Reuther, H
3 Lepienski, C. M.
Grupo1 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Plasmas, (INPE, LAP)
RevistaNuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
Volume240
Páginas199–203
Histórico (UTC)2005-12-09 15:47:42 :: vinicius -> administrator ::
2013-03-08 18:26:04 :: administrator -> marciana :: 2005
2013-03-21 18:18:56 :: marciana -> administrator :: 2005
2018-06-05 01:16:18 :: administrator -> marciana :: 2005
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Palavras-ChaveNitrogen ion implantation
Al5052 alloy
Ion beam
Plasma immersion ion implantation
ResumoExperiments comparing nitrogen ion implantations in Al5052 by beam and plasma immersion were carried out. Beam implantation (BI) was carried out using a 100 keV, high current beam implanter while the plasma immersion ion implantation (PIII) was obtained using a glow discharge plasma source coupled to a pulsed high voltage supply. A nitrogen BI dose of 5 · 1017 cm2 at 100 keV was attained with near Gaussian implantation profile while the PIII was performed until we reached similar doses with a maximum energy of 15 keV. Implantation profiles were obtained by Auger electron spectroscopy (AES). X-ray diffraction (XRD) indicated the formation of AlN in both cases but it was more clearly demonstrated by high resolution AES. For BI treatment, a buried AlN layer was achieved while for PIII, a layer of AlNxOy close to the surface was seen. Due to the high temperature reached in the PIII processing (400 C), a softening of the Al5052 bulkresulted while for BI processed samples with <200 C an increase in hardness was observed.
ÁreaFISPLASMA
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Comparison of nitrogen...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvo1-s2.0-S0168583X05010682-main.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
vinicius
Visibilidadeshown
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft24
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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