| 1. Identificação | |
| Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) |
| Site | mtc-m16.sid.inpe.br |
| Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
| Identificador | 6qtX3pFwXQZ3r59YDa/KbR9p |
| Repositório | sid.inpe.br/iris@1916/2006/02.16.17.22 (acesso restrito) |
| Última Atualização | 2006:02.16.17.22.00 (UTC) administrator |
| Repositório de Metadados | sid.inpe.br/iris@1916/2006/02.16.17.22.57 |
| Última Atualização dos Metadados | 2018:06.05.01.20.24 (UTC) administrator |
| Chave Secundária | INPE-13537-PRE/8750 |
| ISSN | 0168-583X 0167-5087 |
| Chave de Citação | UedaReGuBeAbBe:2001:HiDoNi |
| Título | High dose nitrogen and carbon shallow implantation in Si by plasma immersion ion implantation  |
| Ano | 2001 |
| Mês | Apr |
| Data de Acesso | 28 abr. 2024 |
| Tipo Secundário | PRE PI |
| Número de Arquivos | 1 |
| Tamanho | 109 KiB |
| 2. Contextualização | |
| Autor | 1 Ueda, Mario 2 Reuther, H. 3 Gunzel, R. 4 Beloto, Antonio Fernando 5 Abramof, Eduardo 6 Berni, Luis Angelo |
| Identificador de Curriculo | 1 8JMKD3MGP5W/3C9JHSB 2 3 4 8JMKD3MGP5W/3C9JGJ8 5 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH |
| Grupo | 1 LAP-INPE-MCT-BR 2 LAS-INPE-MCT-BR |
| Afiliação | 1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Plasmas, (INPE, LAP) |
| Revista | Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms |
| Volume | 175-177 |
| Páginas | 715-720 |
| Histórico (UTC) | 2006-02-16 17:22:58 :: vinicius -> administrator :: 2018-06-05 01:20:24 :: administrator -> marciana :: 2001 |
| 3. Conteúdo e estrutura | |
| É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
| Estágio do Conteúdo | concluido |
| Transferível | 1 |
| Tipo do Conteúdo | External Contribution |
| Palavras-Chave | Plasma immersion ion implantation Silicon nitride Silicon carbide |
| Resumo | We have performed plasma immersion ion implantation (PIII) processing to dope Si (0 0 1) wafers with nitrogen and carbon at high doses, relying on two different PIII systems: one at the Institute for Ion Beam Physics at Dresden and the other at INPE. In the first system based on an ECR plasma source, we carried out nitrogen and carbon implantation in Si samples at 35 keV, with delivered doses (DD) ranging from 0.6×1017 to 3.1×1018 cm−2. On the other hand, nitrogen implantation in Si samples at 12 keV with doses from 1.2×1017 to 2.4×1018 cm−2 were conducted in the second system with a glow discharge plasma source. Surface characterizations of these samples based on Auger electron spectroscopy (AES), surface profiler, Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy and a high-resolution X-ray diffractometer indicated different implanted profiles, maximum implanted depths, stresses and etching depths, as well as characteristic surface colors, depending on the doped species, energies and used delivered doses. Comparisons of these results and their interrelationship are discussed in this paper. |
| Área | FISPLASMA |
| Arranjo 1 | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > High dose nitrogen... |
| Arranjo 2 | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > High dose nitrogen... |
| Conteúdo da Pasta doc | acessar |
| Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
| Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
| 4. Condições de acesso e uso | |
| Idioma | en |
| Arquivo Alvo | 59.pdf |
| Grupo de Usuários | administrator vinicius |
| Visibilidade | shown |
| Detentor da Cópia | SID/SCD |
| Política de Arquivamento | denypublisher denyfinaldraft24 |
| Permissão de Leitura | deny from all and allow from 150.163 |
| 5. Fontes relacionadas | |
| Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 8JMKD3MGPCW/3ET2RFS |
| Divulgação | WEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX. |
| Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40 |
| 6. Notas | |
| Campos Vazios | alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype |
| 7. Controle da descrição | |
| e-Mail (login) | marciana |
| atualizar | |