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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Sitemtc-m16.sid.inpe.br (namespace prefix: upn:KLE2JH)
Identificador6qtX3pFwXQZsFDuKxG/EAhGn
Repositóriosid.inpe.br/marciana/2004/12.27.09.36   (acesso restrito)
Última Atualização2014:06.26.17.45.12 (UTC) marciana
Repositório de Metadadossid.inpe.br/marciana/2004/12.27.09.36.58
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.21.19 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-11837-PRE/7184
ISSN0370-1972
Chave de CitaçãoBelotoSiSeKuLeUe:2002:ReMeAn
TítuloReflectance measurements of annealed porous silicon implanted with nitrogen by plasma immersion ion implantation
Ano2002
MêsJuly
Data de Acesso23 out. 2026
Tipo de Trabalhojournal article
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho137 KiB
2. Contextualização
Autor1 Beloto, Antonio Fernando
2 Silva, Marcos Dias da
3 Senna, José Roberto
4 Kuranaga, Carlos
5 Leite, Nelia Ferreira
6 Ueda, Mario
Grupo1 LAS-INPE-MCT-BR
2 LAS-INPE-MCT-BR
3 LAS-INPE-MCT-BR
4
5
6 LAP-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
5 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
6 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Endereço de e-Mail do Autor1 beloto@las.inpe.br
2 marcos@las.inpe.br
3 jrsenna@las.inpe.br
4
5 nelia.leite@inpe.br
6 ueda@plasma.inpe.br
RevistaPhysica Status Solidi B: Basic Research
Volume232
Número1
Páginas111-115
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40 upn:KLE2JH
Histórico (UTC)2004-12-27 11:37:00 :: sergio -> administrator ::
2007-04-04 21:00:29 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:53:52 :: sergio -> administrator ::
2008-06-10 22:28:48 :: administrator -> banon ::
2010-05-17 18:38:13 :: banon -> administrator ::
2013-09-25 21:57:16 :: administrator -> marciana :: 2002
2014-06-26 17:45:12 :: marciana -> administrator :: 2002
2018-06-05 01:21:19 :: administrator -> marciana :: 2002
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-Chavesolar cells
emitter
ResumoPorous silicon (PS) samples, approximately 1 mum thick, were obtained from p- and n-type (100)monocrystalline silicon wafers using different anodization conditions and were implanted with nitrogen by plasma immersion ion implantation (PIII). For comparison, polished silicon samples were implanted as well as the PS samples. The effects of implantation and of the compounds formed (SiO2 and Si3N4)on the reflectance were analyzed. Reflectance measurements of the implanted samples were carried out before and after PIII, and after annealing (1000 degreesC, 30 min in N-2)and etching in an 8 percent (w/w)HF solution for 8 min. After implantation, a reduction of the reflectance in the ultraviolet (UV)region of the spectrum was observed for the polished silicon samples. All the PS samples had strong photoluminescence (PL)before and after PIII and small changes were observed in the reflectance. After annealing, the PS samples showed an increase of the reflectance in the UV region and no PL.
ÁreaFISMAT
Arranjo 1urlib.net > Produção anterior à 2021 > LABAS > Reflectance measurements of...
Arranjo 2urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAP > Reflectance measurements of...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvo111_ftp.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
banon
marciana
sergio
Grupo de Leitoresadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
8JMKD3MGPCW/3ET2RFS
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/bibdigital/2013/09.25.21.49 - 77
sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 - 46
sid.inpe.br/bibdigital@80/2006/04.07.15.50.13 - 8
sid.inpe.br/bibdigital@80/2006/12.20.14.49 - 1
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES.
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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