%0 Journal Article
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%@resumeid 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
%@usergroup administrator
%@usergroup marciana
%@usergroup sergio
%3 luminescence from.pdf
%X We have studied doped superlattices of GaAs/AlGaAs composition. When the doping atoms are introduced into the barriers surrounding the superlattice, as well as to the inner ones, but with half of the concentration, the photoluminescence due to interband transitions from extended superlattice states is detected. This is demonstrated by a study of the samples photoluminescence in a magnetic field, whose intensity oscillates in concomitance with the SdH spectrum of electrons confined in the miniband.
%8 June
%N 2B
%T Luminescence from Miniband States in Heavily Doped Superlattices
%@secondarytype PRE PN
%K MATERIALS PHYSICS, Luminescence, Doped superlattices, FÍSICA DE MATERIAIS, Luminescência.
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%@group LAS-INPE-MCT-BR
%@secondarykey INPE-11821-PRE/7174
%@copyholder SID/SCD
%2 sid.inpe.br/marciana/2004/12.14.09.48.55
%@affiliation Universidade de São Paulo, Instituto de Física
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%@affiliation Pontifícia Universidade Católica, Centro de Estudos em Telecomunicações (PUC)
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%@affiliation Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
%@project TECMAT: Tecnologia de materiais
%B Brazilian Journal of Physics
%P 650-652
%4 sid.inpe.br/marciana/2004/12.14.09.48
%D 2004
%V 34
%A Oliveira, R. F.,
%A Henriques, A. B.,
%A Lamas, T. E.,
%A Quivy, A. A.,
%A Piresy, M. P.,
%A Souza, P. L.,
%A Yavichy, B.,
%A Abramof, Eduardo,
%@dissemination WEBSCI; PORTALCAPES; SCIELO.
%@area FISMAT